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类别:FET-单,描述:MOSFETN-CH20VSOT23-3,系列:-,制造商:VishaySiliconix,FET型:MOSFETN通道,金属氧化物,FET特点:逻辑电平门,漏极至源极电压333Vdss444:20V,电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.1A,开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:60毫欧
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